China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd sitemap

Inverter IGBT

• Multifunktionaler Wechselrichter IGBT 50A 650V Hochgeschwindigkeit für die Energiespeicherung
• Praktische elektronische industrielle IGBT-Umrichter mit schneller Schaltgeschwindigkeit
• Mehrzweck-Inverter IGBT Mehrzweck-Hochgeschwindigkeit für die Energiespeicherung
• 650 V IGBT-Leistungshalbleiter mit hoher Eingangsimpedanz in TO-247-Pakete

IGBT mit hoher Leistung

• Erweiterungsmodus Leistung N-Kanal IGBT 6A 650V für Staubsauger
• 25A 1200V TO-247 Hochleistungs-IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter für allgemeine Wechselrichter
• Hocheffiziente Stromversorgung IGBT für Solarzellen oder Batterien in Wechselstrom
• Schneller schaltender Hochleistungs-IGBT 20KHz-60KHz für Spannungs- und Leistungsumwandlungen

MOSFET der hohen Leistung

• 3A 500V 2.85Ω TO-251 Hochleistungs-MOSFET Industrie-Multiscene N-Kanal-MOS
• N-Kanal-Erweiterungsmodus Leistung MOSFET 4A 500V 2.1Ω für Standby-Leistung
• 100% Single-Pulse-Avalanche-Energie-Test Hochleistungs-MOSFET für UPS-Leistung
• Mehrzweck-Hochspannungs-Mosfet für die harte Schaltung von PWM-Phasen mit Resonanzschaltung

MOSFET mit Superverbindung

• Stabile industrielle SJ MOSFET Kühl-MOS-Multi-Funktion für Konverter
• Über die Effizienz des Zustands Super Junction MOSFET Multi-Funktion Kühl Mos 30V
• Erweiterte EMI-Superschnitt-Leistung Mosfet TO-252 für Stromversorgungslösungen
• Anti-EMI-MOSFET für die ununterbrochene Stromversorgung

Niederspannungs-MOSFET

• Eigentümliche SGT Niederspannungs-MOSFET für Gleichspannung-Gleichspannungskonverter
• Industrie-Low Vth Mosfet Multifunktion für Automobilelektronik
• MOSFET für die Signalkonditionierung
• Schutz der Batterie Niederspannungsleistung Mosfet TO-263C für Kommunikationssysteme

Hochspannungs-MOSFET

• ±30V Torquelle Spannung Hohe Vgs Mosfet TO-247 Für Leistungsfaktorkorrektur
• 11A 650V 340mΩ TO-220F Hochspannungs-MOSFET zum Schutz der Batterie
• Hochgeschwindigkeitsschalter Hochspannungsstrom Mosfet für eine ununterbrochene Stromversorgung
• Mehrzweck-Low-ON-Widerstand-Hochspannungs-Mosfet-Transistor für Adapter

Schottky-Sperrschichtdioden

• Niedrigspannungs Schottky-Barrieredioden für Motorantriebe
• Schottky-Dioden mit umgekehrter Sättigungsströmung TO-247 für Kommunikationsgeräte
• Schottky-Barrieredioden für Frequenzmultiplierer mit hoher Umkehrssättigungsströmung
• Mehrfachpaket-Schottky-Diode TO-220 für die Automobilelektronik

Dioden zur schnellen Wiederherstellung

• Niedrigspannungs-Ultraschnelldioden 15-35ns für Motorantriebe
• Ultra-schnelle Wiederherstellungsdioden 15-35ns Umkehrwiederherstellungszeit für DC-DC-Wandler
• Diode mit hohem Wirkungsgrad für eine schnelle Wiederherstellung für die Steuerung des Wechselstrommotors
• Dioden zur schnellen Wiederherstellung von geringen Leistungsverlusten TO-247S für Solarpanelkonfigurationen

Niedriges VF Schottky

• Niedrige Leistungsverluste Niedrige VF Schottky für Miniatur-Stromversorgungen mit eingeschaltetem Modus
• Schottky-Niedrigspannung für Funkfrequenzverstärker
• Schnelle Wiederherstellungszeit Niedrig VF Schottky für Strommanagement-Schalter
• Schottky-Diode TO-263 mit hohem Wirkungsgrad und niedriger Vorspannung für Stromversorgungseinheiten

Halbleiter mit hoher Leistung

• N-Typ Hochspannungstransistor TO-220F mit geringer Knotenkapazität
• N-Kanal-Hochleistungs-Halbleiter TO-220F mit hoher Temperaturbeständigkeit
• Hochleistung Niedrigleckage N-Kanal IGBT Hochtemperaturbeständig
• TO-247 N-Kanal Hochleistungs-Halbleiter zum Laden

Siliziumkarbid-MOSFET

• Hochschaltgeschwindigkeit Siliziumkarbid-MOSFET mit geringer Widerstandsdichte
• UPS-Hochleistungs-Halbleiter SiC MOS für Motorsteuerungszentren
• N-Kanal Siliziumkarbid MOSFET TO-220AC Anforderungen an eine geringe Wärmeverteilung
• SiC-MOSFET für Stromversorgung von Smart Home-Geräten

Siliziumkarbid SBD

• Niedriger Stromverbrauch Siliziumkarbid SBD TO-247AC für Waschmaschine
• Silikonkarbid Schottky-Barrierediode für den Photovoltaik-Inverter
• Silikonkarbid SBD TO-220AC mit höherer Wärmeleitfähigkeit für die Motorsteuerung
• Hochleistungsfähigkeiten SiC SBD TO-247AC für Unterhaltungselektronik