Typ: N
Art der Packung: Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Tor-Quellspannung (VGS): ±30V
Einheitentyp: IGBT
Schaltverzögerung: Schnellere Schaltgeschwindigkeit
Anwendungs-Frequenz: 20KHZ-60KHZ
innerer Widerstand: Ultra kleiner Innenwiderstand
Kapazität: Ultra-niedrige Kreuzungs-Kapazitanz
Einheitentyp: Energie-getrennte Geräte
Tor-Quellspannung (VGS): ±30V
Hersteller: Lingxun
Kategorie: MOSFET
Kategorie: MOSFET
Tor-Quellspannung (VGS): ±30V
Herkunftsland: China, brandneue, unbenutzte
Typ: N
Art der Packung: Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Tor-Quellspannung (VGS): ±30V
Kategorie: MOSFET
Herkunftsland: China, brandneue, unbenutzte
Tor-Quellspannung (VGS): ±30V
Stromverbrauch: Leistungsabfall der geringen Energie
Prozess strukturieren: Graben/SGT
Vorteile des Grabenverfahrens: Kleinere RSPs, sowohl Serien- als auch Parallelkonfigurationen können frei kombiniert und genutzt we
Anwendung: Haushaltsgeräte, Motorantriebe, Lüfter, Pumpen, Solarstring-Inverter
Schaltverzögerung: Schnellere Schaltgeschwindigkeit
Art der Packung: TO-247
Rohs-konform: ROHS
Anwendung: Stromversorgungseinheiten, Motorantriebe, HF-Verstärker, drahtlose Kommunikation
Eigenschaften: Schnelle Schaltgeschwindigkeit, hohe Effizienz, geringe Rückkehrerholungszeit
Widerstand: Geringer Widerstand
Anwendungen: Elektrofahrzeuge, Netzinfrastruktur, industrielle Antriebe, Unterhaltungselektronik, Telekommunikati
Material: Siliziumkarbid
Kreuzungskapazitanz: Niedrige Knotenkapazität
Spannung: Hochspannung
Effizienz: Hohe Effizienz
86-189-8872-0515(Arbeit Zeit)
