China MOSFET mit Superverbindung

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  Leistungsdiskrete Geräte mit geringer Widerstandsleistung SJ MOS für Beleuchtung

  Anwendung:SMPS,UPS,PFC,Solarumrichter,Stromversorgung,Hochleistungs-Ladegerät/Adapter

  Produktbezeichnung:Super Junction Mosfet, cool Mos, SJ MOS

  Hersteller:Lingxun

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  100% Avalanche Testing Super Junction MOSFET für Stromversorgungen von Telekommunikationsservern

  Hersteller:Lingxun

  Typ:N

  Anwendung:Elektronischer Ballast, LED-Stromversorgung, TV-Leistung, Hochleistungs-Ladegerät, Adapter, LED-Bele

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  MOSFET-Kühlmos für den Ladestapel mit schneller Umschaltung

  Hersteller:Lingxun

  Typ:N

  Anwendung:Aufladestelle, Photovoltaik, Wechselrichter, Elektrowerkzeuge, Batteriemanagement usw.

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  Leistungsdiskrete Geräte Supper Junction MOSFET für LED-Treiber

  Hochlicht:Ultra-Niedrig-Widerstand, schnelle Schaltung, verbesserte DVD/dt-Fähigkeit

  Anwendung:Solarumrichter, Stromversorgung mit Wechselstrom, LED-Stromversorgung, erneuerbare Energien usw.

  Macht:Hohe Macht

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  Mehrzweck-MOSFET mit Superverbindung

  Anwendung:Schaltmodus-Stromversorgung ((SMPS),Ununterbrochene Stromversorgung ((UPS),Stromfaktorkorrektur ((PF

  Wechseln:Hochfrequenzschalter

  Hochlicht:100% Avalanche getestet, schnelle Schaltfähigkeit

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  MOSFET-Leistungstransistor mit Superschnitt von Typ N für SMPS

  EMS-Rand:Große EMI Margin

  Hochlicht:100% Avalanche getestet viel niedrigere RON*A Leistung für den Betrieb

  Typ:N

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  Si Super Junction Mosfet mit schneller Rückgewinnungsdiode für Soft Switching Typologien

  Identifizierung:42A

  Abfluss-Quellspannung:600 V

  RDSON-Typ VGS=10V:64mΩ

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  N-Kanal-Super-Junction Mosfet mit schneller Diode mit niedrigem Rdson für Schaltmodus-Stromversorgung

  Identifizierung:43A

  Abfluss-Quellspannung:650 V

  RDSON-Typ VGS=10V:72mΩ

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  650V SJ MOSFET Ultra-Low-On-Widerstand für industrielle Automatisierungssysteme

  Anwendung:Telekommunikations-/Server-Stromversorgung

  EMS-Rand:Große EMI Margin

  Typ:N

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  Leistungsdiskrete Geräte Super Junction MOSFET für kompakte Leuchtstofflampen

  Hersteller:Lingxun

  Typ:N

  EMS-Rand:Große EMI Margin

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  Hochspannungsstufen Super Junction MOSFET 650V TO-220F für die Stromversorgung

  Hochlicht:100% Avalanche getestet viel niedrigere RON*A Leistung für den Betrieb

  Einheitentyp:Energie-getrennte Geräte

  EMS-Rand:Große EMI Margin

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  Große EMI-Marge Super Junction MOSFET für hohe Stromversorgungen

  Anwendung:Telekommunikations-/Server-Stromversorgung

  Einheitentyp:Energie-getrennte Geräte

  Typ:N

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