China MOSFET mit Superverbindung

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  650V Smartphones Niedrigere Widerstandsüberschneidung Mosfet Für PFC

  EMS-Rand:Große EMI Margin

  Hersteller:Lingxun

  Anwendung:Telekommunikations-/Server-Stromversorgung

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  Diskrete Geräte mit stabiler Leistung mit extrem geringer Widerstandsleistung und großer EMI-Marge

  Hochlicht:100% Avalanche getestet viel niedrigere RON*A Leistung für den Betrieb

  Anwendung:Telekommunikations-/Server-Stromversorgung

  Typ:N

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  Telekommunikationsleistung Diskrete Geräte Super Junction MOSFET Typ N

  Hochlicht:100% Avalanche getestet viel niedrigere RON*A Leistung für den Betrieb

  EMS-Rand:Große EMI Margin

  Einheitentyp:Energie-getrennte Geräte

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  N-Typ Super Junction Mosfet für Telekommunikations- / Server-Stromversorgungen

  Typ:N

  EMS-Rand:Große EMI Margin

  Anwendung:Telekommunikations- / Server-Stromversorgung

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  Elektronik Advanced Super Junction MOSFET in ununterbrochenen Stromversorgungen

  Hochlicht:100% Avalanche getestet viel niedrigere RON*A Leistung für den Betrieb

  Anwendung:Telekommunikations-/Server-Stromversorgung

  EMS-Rand:Große EMI Margin

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  Telekommunikation / Server-Stromversorgung Sj Mosfet Hochleistung

  Typ:N

  Hersteller:Lingxun

  Hochlicht:100% Avalanche getestet viel niedrigere RON*A Leistung für den Betrieb

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  7A 650V große EMI-Marge N-Kanal MOSFET LC65R600F

  Anwendung:Telekommunikations-/Server-Stromversorgung

  Hersteller:Lingxun

  EMS-Rand:Große EMI Margin

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  20A 650V Super Junction Mos für Stromversorgungen von Telekommunikationsservern

  Hochlicht:100% Avalanche getestet viel niedrigere RON*A Leistung für den Betrieb

  Hersteller:Lingxun

  Einheitentyp:Energie-getrennte Geräte

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  Leistung Große EMI-Marge Super Mosfet 100% Lawine getestet

  Typ:N

  EMS-Rand:Große EMI Margin

  Hersteller:Lingxun

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  4A 650V 880mΩ Super Junction Mosfet Low On Resistance HV Transistor

  Identifizierung:4a

  Abfluss-Quellspannung:650 V

  RDSON-Typ VGS=10V:880mΩ

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  Si Super Junction MOSFET Hochstromkühler Mos 47A 600V 68mΩ

  Identifizierung:47A

  Abfluss-Quellspannung:600 V

  RDSON-Typ VGS=10V:68mΩ

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  20A 650V 150mΩ Low Ciss Super Junction MOSFET für Stromversorgungen

  Identifizierung:20A

  Abfluss-Quellspannung:650 V

  RDSON-Typ VGS=10V:150mΩ

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