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Halbleiter mit hoher Leistung

China Halbleiter mit hoher Leistung

Hochspannung, Niedrigleckage, Kühlmos-Halbleiter zum Aufladen

Effizienz:Hohe Effizienz

Typ:N

Leckage:Niedriges Durchsickern
N-Kanal-Hochleistungs-Halbleiter mit geringer Leckage und geringer Knotenkapazität

Typ:N

Leckage:Niedriges Durchsickern

Effizienz:Hohe Effizienz
IGBT mit niedrigem Leckage N-Kanal für industrielle Anwendungen mit hoher Leistung

Effizienz:Hohe Effizienz

Typ:N

Kreuzungskapazitanz:Niedrige Knotenkapazität
N-Typ-Design Hochleistungs-Halbleiter TO-220F mit schnellen Schaltmöglichkeiten

Kreuzungskapazitanz:Niedrige Knotenkapazität

Effizienz:Hohe Effizienz

Hochlicht:Hochspannungs-Leistungshalbleiter zeichnen sich durch ihre Fähigkeit aus, hohe Spannungen und Ströme
MOSFET mit niedrigem Leckage N-Kanal mit hoher Leistung TO-220F TO-263C TO-247AC

Temperaturbeständigkeit:Hochtemperaturbeständigkeit

Spannung:Hochspannung

Hochlicht:Hochspannungs-Leistungshalbleiter zeichnen sich durch ihre Fähigkeit aus, hohe Spannungen und Ströme
Ausgezeichnete Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V

Stromverbrauch:Leistungsabfall der geringen Energie

Bleifreier Status:ROHS

Widerstand:Niedriges RDS (AN)
Hochtemperaturbeständigkeit, geringe Leckage, N-Typ MOSFET mit geringer Knotenkapazität für eine höhere Energieeffizienz

Kreuzungskapazitanz:Niedrige Knotenkapazität

Effizienz:Hohe Effizienz

Typ:N
N-Kanal Halbleiter mit niedriger Knotenkapazität

Kreuzungskapazitanz:Niedrige Knotenkapazität

Effizienz:Hohe Effizienz

Temperaturbeständigkeit:Hochtemperaturbeständigkeit
Niedrige Verbindungskapazität Spannung IGBT für Temperaturen mit geringer Leckage

Kreuzungskapazitanz:Niedrige Knotenkapazität

Effizienz:Hohe Effizienz

Typ:N
Niedrige Leckage Niedrige Knotenkapazität Hohe Temperatur Widerstand Spannung N-Kanal Leistung Halbleiter

Leckage:Niedriges Durchsickern

Kreuzungskapazitanz:Niedrige Knotenkapazität

Hochlicht:Hochspannungs-Leistungshalbleiter zeichnen sich durch ihre Fähigkeit aus, hohe Spannungen und Ströme
Leistungs-MOSFET mit hoher Temperaturbeständigkeit, geringer Leckage und geringer Knotenkapazität

Typ:N

Spannung:Hochspannung

Hochlicht:Hochspannungs-Leistungshalbleiter zeichnen sich durch ihre Fähigkeit aus, hohe Spannungen und Ströme
Mehrfachanwendungen Hochleistungshalbleitern N-Kanal

Spannung:Hochspannung

Vorteile:Stabiler Prozess und zuverlässige Qualität

Kreuzungskapazitanz:Niedrige Knotenkapazität

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Niedrige Verbindungskapazität Spannung IGBT für Temperaturen mit geringer Leckage

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