Produktdetails:
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Betriebstemperaturbereich: | -55°C zu +175°C | Anwendung: | Hauptsächlich zur Berichtigung verwendet, in Hochleistungsausrüstungen verwendet, sind die Express- |
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Rohs-konform: | ROHS | Typ: | Diode zur schnellen Wiederherstellung |
Rückgenesungszeit: | 15 bis 35 n | ||
Hervorheben: | 35 ns Schnellwiederherstellungsdiode,PWM-Schnellwiederherstellungsdiode,Impulsabweite-Modulator Ultraschnelle Dioden |
Rückgewinnung 15-35ns Schnelle Rückgewinnung Dioden PWM Pulsbreitenmodulator
Unsere Schnellwiederherstellungsdioden haben eine geringe Vorwärtsspannung und einen geringen Leckstrom, was sie sehr effizient und kostengünstig macht.der für Hochleistungsanwendungen unerlässlich istDiese Dioden sind RoHS-konform, was bedeutet, dass sie die neuesten Umweltstandards für gefährliche Materialien erfüllen.
Unsere Schnellwiederherstellungsdioden sind in Pb-freien Verpackungen erhältlich, um sicherzustellen, dass sie sicher und umweltfreundlich sind.für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen geeignet.
Die Umkehrerholungszeit unserer Fast Recovery Diodes liegt zwischen 15-35ns, was die Zeit ist, die die Diode benötigt, um vom vorwärtsgeleiteten Zustand zum umgekehrten Blockzustand zu wechseln.Dies stellt sicher, dass die Dioden schnell und effizient sind, so dass sie ideal für den Einsatz in Hochgeschwindigkeitskreisen geeignet sind.
Zusammenfassend sind unsere Schnellwiederherstellungsdioden Hochspannungsdioden, die so konzipiert sind, dass sie eine geringe Vorwärtsspannung, eine hohe Stromkapazität und eine hohe Überspannungs-Stromfähigkeit bieten.Sie sind RoHS-konform und in Pb-freien Verpackungen erhältlichSie haben einen Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen.Ihre schnelle Rückgewinnungszeit stellt sicher, dass sie effizient und zuverlässig sind, so dass sie ideal für den Einsatz in Hochgeschwindigkeitskreisen geeignet sind.
Rohs-konform | Rohs |
Anwendung | Hauptsächlich zur Berichtigung verwendet, in Hochleistungsausrüstung verwendet, sind die Express- und Ultrafast-Recovery-Dioden für Hochfrequenz- bzw. Ultrahochfrequenz-Schaltkreise geeignet.mit einer Leistung von mehr als 1000 W, Gleichstrom-zu-Gleichstrom-Wandler und andere Hochleistungsanwendungen. |
Betriebstemperaturbereich | -55°C bis +175°C |
Typ | Diode zur schnellen Wiederherstellung |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit | 15 bis 35 n |
Hochlicht | Niedrige Vorspannung, geringer Leckstrom, Pb-freie Pakete sind verfügbar, hohe Effizienz, hohe Stromkapazität, hohe Überspannung, geringer Stromverlust, RoHS-konform. |
Diese Fast Recovery Diodes haben eine hohe Überspannungsleistung und einen geringen Stromverlust. Sie sind RoHS-konform und haben eine geringe Vorwärtsspannung und einen geringen Leckstrom.Die Rückgewinnungszeit für diese Dioden beträgt 15-35 ns, so dass sie für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet sind.
Diese Dioden werden hauptsächlich zur Berichtigung verwendet und eignen sich hervorragend für den Einsatz in Hochleistungsgeräten.Die Express- und Ultraschnellwiederherstellungsdioden eignen sich für Hochfrequenz- und Ultraschallschaltkreise, bzw.
Die Fast Recovery Diodes von Lingxun sind vielseitig und können in einer Vielzahl von Szenarien eingesetzt werden.mit einer Leistung von mehr als 50 W undSie können auch in drahtlosen Kommunikationen eingesetzt werden, bei denen schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.
Lingxun hat eine Lieferkapazität von 600KK/Jahr für diese Dioden. Die Lieferzeit hängt von der Bestellmenge und der Bestellnummer ab. Die Zahlungsbedingungen sind T/T-Zahlung.
Q1. Wer sind wir?
A: Unser Standort ist Guangdong, China. Die Fabrik wurde im Jahr 2012 gegründet.hat derzeit mehr als 180 hat mehr als 180 Mitarbeiter und mehr als 10000 Quadratmeter FlächeWir liefern jährlich über 600 KK hochwertige Halbleitergeräte.
Q2.Was ist Ihre Produktlinie?
A:Die bestehenden Hauptproduktionslinien umfassen Schottky,Schottky mit niedrigem Frequenzfrequenz,Fast-Recovery-Dioden,Hochspannungs-Mosfet, Mittel- und Niederspannungs-Mosfet, Super Junction-Mosfet, IGBT,SiC-Schnellbarrierdiode und Sic-Mosfet usw..
Q3.Welche Anwendung hat Ihr Produkt?
A:Weit verbreitet in verschiedenen Bereichen wie Power Adapter, LED-Beleuchtung, bürstenlose Motoren, Lithium-Batterie-Management, Wechselrichter, Energiespeicher und Ladestapel usw.
Q4.Was ist Ihr Wettbewerbsvorteil?
A:1Wir haben unsere eigene Montage- und Testfabrik, feste Investition von mehr als 70 Millionen Yuan. Mit der besten automatisierten Wire Bond Ausrüstung,Bereitstellung von mehr als 600KK Halbleiter-Stromgeräten jährlich.
2.Dienstleistungsvorteile,ein stabiles Versorgungssystem,nachhaltige und stabile Versorgung mit Produkten.Unser eigenes Labor kann schnell und effektiv mit der Validierung zusammenarbeiten.
3. Qualitätssicherung,Die meist verbreitete digitale Fabrik für das MES-System im Bereich Verpackung und Prüfung, zertifiziert nach ISO9001 2015 Version und IATF16949.
4. Produktentwicklung,Kontinuierliche Erforschung und Entwicklung neuer Spezifikationen und Verpackungsformen, um den Anwendungsbedürfnissen mehrer Kunden gerecht zu werden.
Q5. Wie verpacken Sie?
A:Normalerweise haben verschiedene Verpackungen unterschiedliche Verpackungen.TO-252/263 ist Rollen+verschlossener Beutel+innere Box+karton.TO-220/247 ist Rohr+innere Box+karton.
Q6. Was ist Ihr MOQ?
A: Wir stellen für jeden Artikel Proben zur Verfügung. MOQ hängt von Ihrer Bestellmenge ab.
Q7.Welche Qualitätsgarantie haben Sie?
A: Bieten Sie Proben für die Prüfung an. Stellen Sie sicher, dass das Massenprodukt mit der Probe übereinstimmt. Wenn sich etwas ändert, wird die Probe erneut zur Prüfung zur Verfügung gestellt.100%ige Prüfung und Kontrolle aller Produkte vor der Lieferung.
Q8.Akzeptieren Sie Anpassungen?
A: Ja, schicken Sie mir Ihre Anforderung!
Q9.Wie kann ich Sie kontaktieren?
A:Senden Sie Ihre Anfragen unten, klicken Sie auf Senden, jetzt!!!
Für weitere Fragen können Sie uns gerne kontaktieren.
Ansprechpartner: Mrs. Qinqin
Telefon: +8618988720515
Faxen: 86-189-8872-0515