Startseite Produktelow vf schottky diode Online-Hersteller

Alle Produkte

Inverter IGBT
(47)

IGBT mit hoher Leistung
(48)

MOSFET der hohen Leistung
(48)

MOSFET mit Superverbindung
(48)

Niederspannungs-MOSFET
(81)

Hochspannungs-MOSFET
(54)

Schottky-Sperrschichtdioden
(80)

Dioden zur schnellen Wiederherstellung
(49)

Niedriges VF Schottky
(65)

Halbleiter mit hoher Leistung
(28)

Siliziumkarbid-MOSFET
(21)

Siliziumkarbid SBD
(21)

Bescheinigung

China Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd zertifizierungen

Kunden-Berichte

Sehr gutes Produkt, genau wie beschrieben, schnelle Versandkosten und toller Service.

—— Minifux1

sehr schnell versendet, gut verpackt und diese Kabel sind definitiv von hoher Qualität! habe nirgendwo anders gekauft und werde weiterhin meine Kabel von diesem Verkäufer bekommen! AAA+++

—— Schatz

Ausgezeichneter Service wie üblich, habe bei diesem Verkäufer mehrmals gekauft.

—— - Ich weiß.

Ich bin online Chat Jetzt

low vf schottky diode online manufacture

(576)

Ultra-niedrige Widerstands SiC Mosfet hohe Effizienz für erneuerbare Energiesysteme
Kontakt

Lesen Sie weiter

2025-01-15 16:06:59

MOSFET aus Siliziumkarbid mit niedrigem Widerstand für die Netzinfrastruktur
Kontakt

Lesen Sie weiter

2025-01-15 15:48:37

MOSFET aus Siliziumkarbid mit geringer Widerstandsfähigkeit für Telekommunikation
Kontakt

Lesen Sie weiter

2025-01-15 15:50:49

60A 650V Niedriger Schaltverlust Niedrige Frequenz Leistung IGBT für die Steigerung
Kontakt

Lesen Sie weiter

2025-03-29 23:28:42

Oberflächenbefestigung Niedriggatanlage SJ Mosfet 7A 650V 525mΩ Für SMPS
Kontakt

Lesen Sie weiter

2025-02-08 09:42:24

11A 600V 338mΩ TO-220F Kaltes MOS Niedriges FOM für Stromversorgungen N Kanal
Kontakt

Lesen Sie weiter

2025-02-08 09:42:11

Leistungsdiskrete Geräte mit geringer Widerstandsleistung SJ MOS für Beleuchtung
Kontakt

Lesen Sie weiter

2025-02-08 09:42:20

20A 45V Hochfrequenzschalter Stromversorgung Schottky Barrieredioden für On-Board Gleichspannungs-/ Gleichspannungsconerter MBR2045FCT
Kontakt

Lesen Sie weiter

2025-02-08 09:43:26

30A 60V Schottky-Barrieredioden-Rectifier-Schaltkreise zur Umwandlung von Wechselstrom in Gleichstrom MBR3060FCT
Kontakt

Lesen Sie weiter

2025-02-08 09:43:25

30A 200V bis 220F Schottky-Schranktdioden mit niedriger Vorspannung MBR30200FCT
Kontakt

Lesen Sie weiter

2025-02-08 09:43:24

Page 24 of 58|< << 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 >> >|

Inverter IGBT

IGBT mit hoher Leistung

MOSFET der hohen Leistung

MOSFET mit Superverbindung

Niederspannungs-MOSFET

Hochspannungs-MOSFET

Schottky-Sperrschichtdioden

Dioden zur schnellen Wiederherstellung

Niedriges VF Schottky

Halbleiter mit hoher Leistung

Siliziumkarbid-MOSFET

Siliziumkarbid SBD

low vf schottky diode online manufacture

Ultra-niedrige Widerstands SiC Mosfet hohe Effizienz für erneuerbare Energiesysteme
Kontakt

MOSFET aus Siliziumkarbid mit niedrigem Widerstand für die Netzinfrastruktur
Kontakt

MOSFET aus Siliziumkarbid mit geringer Widerstandsfähigkeit für Telekommunikation
Kontakt

60A 650V Niedriger Schaltverlust Niedrige Frequenz Leistung IGBT für die Steigerung
Kontakt

Oberflächenbefestigung Niedriggatanlage SJ Mosfet 7A 650V 525mΩ Für SMPS
Kontakt

11A 600V 338mΩ TO-220F Kaltes MOS Niedriges FOM für Stromversorgungen N Kanal
Kontakt

Leistungsdiskrete Geräte mit geringer Widerstandsleistung SJ MOS für Beleuchtung
Kontakt

20A 45V Hochfrequenzschalter Stromversorgung Schottky Barrieredioden für On-Board Gleichspannungs-/ Gleichspannungsconerter MBR2045FCT
Kontakt

30A 60V Schottky-Barrieredioden-Rectifier-Schaltkreise zur Umwandlung von Wechselstrom in Gleichstrom MBR3060FCT
Kontakt

30A 200V bis 220F Schottky-Schranktdioden mit niedriger Vorspannung MBR30200FCT
Kontakt

Siliziumkarbid SBD

Schottky-Barrieredioden für elektrische Öfen

Hochspannung Silikonkarbid SBD für Rechenzentrum

Industrielles Siliziumkarbid SBD Mehrzweckmaschine zum Schweißen

Inverter IGBT

15A 1200V Wechselrichter IGBT Kurzschluss hält Zeit 10μS für Motorfahrer

Zuverlässiger und robuster Inverter IGBT-Verstärkungsmodus

Aufladestelle IGBT Transistor Mehrzweck für OBC-Anwendung